MoSi2具有高達2030°C的高熔點、較低的密度(6.24g/cm3)和優異的高溫抗氧化性能以及良好的導熱性和導電性，故被認為是繼Ni基高溫合金(使用溫度<1100°C)以及第二代高溫TiAl合金之后的第三代超高溫結構材料。但是，MoSi2也有一些致命的缺點，阻礙了它的實際應用。除了低溫脆性較大(韌脆轉變溫度在900~1000°C)、1300°C以上高溫強度不足，尤其是蠕變抗力比較低之外，MoSi2在400~600°C會出現加速氧化的現象，最終會由致密體變成粉末，引起材料災難性的毀壞。這種低溫氧化現象在學術界被稱作Pest現象，是該材料作為實用的高溫結構材料的一個研發難點。

　　目前關于MoSi2的Pest現象機理的研究認為:Mo氧化物的揮發導致SiO2膜不連續和不致密；樣品本身不夠致密或者存在裂紋，使得氧原子能夠快速進入材料內部；雜質元素O，N在晶界優先擴散等，這些因素導致材料快速氧化。基于上述分析，目前對于克服MoSi2的Pest問題的研究思路，主要有以下幾種:提高MoSi2的純度；提高材料的致密度；添加相對于Si與O有更強親和力的元素，降低內部氧化造成的體積膨脹，從而抑制Pest效應；采用高溫預氧化形成致密的SiO2膜，在材料表面形成玻璃保護層，降低氧化速率，等等。

　　試驗表明，采用放電等離子燒結方法將Mo粉與Si粉混合物原位合成制備成高致密的MoSi2，其致密度高于將MoSi2粉末直接燒結制備而成的MoSi2，結果，前者在Pest現象溫度區表現出明顯優于后者的抗氧化性，這說明材料的致密度對于其抗氧化性能有重要影響。另外，用原位合成工藝，可以制備SiC顆粒增強的MoSi2基復合材料，該復合材料致密度高達99.5%以上，界面為直接的原子結合，無非晶層存在。由于該材料的高致密度，孔隙率低，無裂紋，極大地降低了O通過這些缺陷進入材料內部的擴散速率，使粉化形核和生長速度明顯減慢，有效地減緩了氧化。該材料在500°C下經過1000小時氧化后，仍未發生Pest現象。這種SiC顆粒增強的MoSi2基復合材料，不僅抗氧化性能好，而且其斷裂韌性也比單一MoSi2提高了25%~46%；1000~1400°C下的壓縮流變應力明顯高于單一MoSi2；1200~1400°C下的壓縮蠕變性能也明顯提高。

　　另據報道，用機械合金化制備含La2O3的Mo-Si粉末，并進行燒結，制成La2O3增韌的MoSi2復合材料。該材料未發生Pest現象，其原因在于表面形成了致密的SiO2保護膜。用Al合金化的MoSi2，在400°C、600°C、700°C下都有很好的抗氧化性能，質量變化較少，其原因就在于材料表面形成了連續的3Al3O2.2SiO2保護膜；但它在500°C氧化過程中，卻發生了Pest現象，原因在于此時大量生成揮發性MoO3相，破壞了3Al3O2.2SiO2保護膜的形成；而由Al和Nb共同合金化的MoSi2，在500°C下氧化50小時后，材料中MoO3和Mo9O26含量變化不大，并出現了Al2O3，其抗氧化性得到了提高。